天津氮化硅铁零售批发

A. 氮化硅铁主要用在什么地方啊

微电路制造中的绝缘膜

B. 氮化硅，氮化硅铁合成问题，求助悬赏

氮化硅铁和氮化硅的区别 氮化硅铁跟氮化硅是不同的冶金材料,其沸点、熔点及作用都不相同.字面意思差不多,但实际作用相差很远
可在1300-1400℃的条件下用单质硅和氮气直接进行化合反应得到氮化硅： 3 Si(s) + 2 N2(g) → Si3N4(s) 也可用二亚胺合成 SiCl4(l) + 6 NH3(g) → Si(NH)2(s) + 4 NH4Cl(s) 在0 ℃的条件下 3 Si(NH)2(s) → Si3N4(s) + N2(g) + 3 H2(g) 在1000 ℃的条件下 或用碳热还原反应在1400-1450℃的氮气气氛下合成： 3 SiO2(s) + 6 C(s) + 2 N2(g) → Si3N4(s) + 6 CO(g) 对单质硅的粉末进行渗氮处理的合成方法是在二十世纪50年代随着对氮化硅的重新“发现”而开发出来的。也是第一种用于大量生产氮化硅粉末的方法。但如果使用的硅原料纯度低会使得生产出的氮化硅含有杂质硅酸盐和铁。用二胺分解法合成的氮化硅是无定形态的，需要进一步在1400-1500℃的氮气下做退火处理才能将之转化为晶态粉末，二胺分解法在重要性方面是仅次于渗氮法的商品化生产氮化硅的方法。碳热还原反应是制造氮化硅的最简单途径也是工业上制造氮化硅粉末最符合成本效益的手段。
电子级的氮化硅薄膜是通过化学气相沉积或者等离子体增强化学气相沉积技术制造的: 3 SiH4(g) + 4 NH3(g) → Si3N4(s) + 12 H2(g) 3 SiCl4(g) + 4 NH3(g) → Si3N4(s) + 12 HCl(g) 3 SiCl2H2(g) + 4 NH3(g) → Si3N4(s) + 6 HCl(g) + 6 H2(g) 如果要在半导体基材上沉积氮化硅，有两种方法可供使用： 利用低压化学气相沉积技术在相对较高的温度下利用垂直或水平管式炉进行。 等离子体增强化学气相沉积技术在温度相对较低的真空条件下进行。 氮化硅的晶胞参数与单质硅不同。因此根据沉积方法的不同，生成的氮化硅薄膜会有产生张力或应力。特别是当使用等离子体增强化学气相沉积技术时，能通过调节沉积参数来减少张力。
先利用溶胶凝胶法制备出二氧化硅，然后同时利用碳热还原法和氮化对其中包含特细碳粒子的硅胶进行处理后得到氮化硅纳米线。硅胶中的特细碳粒子是由葡萄糖在1200-1350℃分解产生的。合成过程中涉及的反应可能是： SiO2(s) + C(s) → SiO(g) + CO(g) 3 SiO(g) + 2 N2(g) + 3 CO(g) → Si3N4(s) + 3 CO2(g) 或 3 SiO(g) + 2 N2(g) + 3 C(s) → Si3N4(s) + 3 CO(g)

C. 氮化硅铁和氮化硅的区别

氮化硅参考http://ke..com/view/877481.html?wtp=tt
氮化硅铁跟氮化硅是不同的冶金材料，其沸点、熔点及作用都不相同。字面意思差不多，但实际作用相差很远

D. 氮化硅铁资料。

1氮化硅铁的定义
氮化硅铁是以Si3N4为主要成分,伴随游离铁,未氮化硅铁及少量其它成分的混合物.耐火用商品氮化硅铁是一种灰白色(或茶褐色)的粉末状物,炼钢用氮化硅铁是灰白色粒状物.
2氮化硅铁用途
粉状氮化硅铁主要用于大高炉的堵口炮泥中,少量用于铁沟料或其它不定形耐火材料中.
粒状氮化硅铁主要用于取向硅钢或其它采用氮化物提高强度的钢种(如HRB400钢筋).
3国内外使用情况
氮化硅铁在发达国家的高炉炮泥中得到普遍应用,使炮泥开堵性能得到了明显改善,满足高炉出铁的需要,成为现代化大高炉炮泥不可缺少的成分.另外在铁沟料中加入少量氮化硅铁极大地提高铁沟的通铁量.日本在上世纪70年代开始使用氮化硅铁[1].
国内应用氮化硅铁时间较短,宝钢于1994年首先在炮泥中添加氮化硅,使炮泥性能得到改善满足了宝钢炼铁的需要.国内其它钢厂基本上都在使用氮化硅铁,因为氮化硅铁的销售价格大约为氮化硅销售价格的一半,另外在使用性能上两者基本接近.近3年来,全国重点大型钢铁企业2000M3以上高炉堵口炮泥基本上都使用氮化硅铁.添加氮化硅铁的炮泥很好地满足了大型高炉的需要,使高炉出铁次数由18次普遍降低到12次,最低的降到6次.炮泥的消耗量由1.2kg/吨铁降低到0.5kg/吨铁.
在炼钢方面,粒状氮化硅铁最初应用于取向硅钢生产,它能比较稳定的为钢水补充一定量的氮.国内使用氮化硅铁量一年达数百吨.冶炼技术的进步使我国高强度微合金化钢生产得到快速发展.钢的强化微合金化元素主要有钒,铌,钛.经计算比较和生产实际应用,生产HRB400钢筋采用FeV50+Fe Si3N4微合金化方案,合金化成本比单一采用FeV50吨钢成本降低127.61元,比采用VN12微合金化吨钢成本降低44.21元.如果该技术得到普及,将对生产建筑钢材的生产企业降本增效意义重大.氮化硅铁作为廉价的提供氮源的合金,未来在其它钢种上的应用前景良好.

E. 氮化硅铁的介绍

氮化硅铁是以Si3N4为主要成分,伴随游离铁,未氮化硅铁及少量其它成分的混合物.耐火用商品氮化硅铁是一种灰白色(或茶褐色)的粉末状物,炼钢用氮化硅铁是灰白色粒状物.

F. 氮化硅铁生产中，氮含量低怎么回事

氮化硅
铁和氮化硅的区别
氮化硅铁
跟氮化硅是不同的冶金材料,其沸点、熔点及作用都不相同.字面意思差不多,但实际作用相差很远可在1300-1400℃的条件下用
单质
硅和氮气直接进行
化合反应
得到氮化硅：
3
Si(s)
+
2
N2(g)
→
Si3N4
(s)
也可用二亚胺合成
SiCl4
(l)
+
6
NH3
(g)
→
Si(NH)2(s)
+
4
NH4Cl
(s)
在0
℃的条件下
3
Si(NH)2(s)
→
Si3N4(s)
+
N2(g)
+
3
H2(g)
在1000
℃的条件下
或用
碳热还原
反应在1400-1450℃的氮气气氛下合成：
3
SiO2
(s)
+
6
C(s)
+
2
N2(g)
→
Si3N4(s)
+
6
CO(g)
对单质硅的粉末进行
渗氮
处理的合成方法是在二十世纪50年代随着对氮化硅的重新“发现”而开发出来的。也是第一种用于大量生产氮化硅粉末的方法。但如果使用的硅原料纯度低会使得生产出的氮化硅含有杂质硅酸盐和铁。用二胺
分解法
合成的氮化硅是
无定形
态的，需要进一步在1400-1500℃的氮气下做
退火处理
才能将之转化为
晶态
粉末，二胺分解法在重要性方面是仅次于渗氮法的商品化生产氮化硅的方法。碳热还原反应是制造氮化硅的最简单途径也是工业上制造氮化硅粉末最符合
成本效益
的手段。电子级的氮化硅薄膜是通过
化学气相沉积
或者
等离子体增强化学气相沉积
技术制造的:
3
SiH4
(g)
+
4
NH3(g)
→
Si3N4(s)
+
12
H2(g)
3
SiCl4(g)
+
4
NH3(g)
→
Si3N4(s)
+
12
HCl(g)
3
SiCl2H2(g)
+
4
NH3(g)
→
Si3N4(s)
+
6
HCl(g)
+
6
H2(g)
如果要在半导体基材上沉积氮化硅，有两种方法可供使用：
利用低压化学气相沉积技术在相对较高的温度下利用垂直或水平
管式炉
进行。
等离子体增强化学气相沉积技术在温度相对较低的真空条件下进行。
氮化硅的
晶胞参数
与单质硅不同。因此根据沉积方法的不同，生成的氮化硅薄膜会有产生张力或应力。特别是当使用等离子体增强化学气相沉积技术时，能通过调节沉积参数来减少张力。先利用
溶胶凝胶法
制备出
二氧化硅
，然后同时利用
碳热还原法
和氮化对其中包含特细碳粒子的硅胶进行处理后得到氮化硅
纳米线
。硅胶中的特细碳粒子是由葡萄糖在1200-1350℃分解产生的。合成过程中涉及的反应可能是：
SiO2(s)
+
C(s)
→
SiO(g)
+
CO(g)
3
SiO(g)
+
2
N2(g)
+
3
CO(g)
→
Si3N4(s)
+
3
CO2(g)
或
3
SiO(g)
+
2
N2(g)
+
3
C(s)
→
Si3N4(s)
+
3
CO(g)

G. 氮化硅铁和氮化硅的区别

氮化硅铁和氮化硅的区别
氮化硅铁跟氮化硅是不同的冶金材料,其沸点、熔点及作用都不相同.字面意思差不多,但实际作用相差很远

H. 氮化硅铁中铁含量的测定方法

比色法

I. 氮化硅铁与氧化铝烧结

C 该材料既非单纯金属，又非合金，故不是金属材料，A项错误；因组成中Si、Al、N、O原子数目不多，故称不上高分子化合物，B、D两项错误；该材料具备新型无机非金属材料的特征，故C项正确。 

J. 氮化硅铁生产中，氮含量低怎么回事

氮化硅铁和氮化硅的区别 氮化硅铁跟氮化硅是不同的冶金材料,其沸点、熔点及作用都不相同.字面意思差不多,但实际作用相差很远可在1300-1400℃的条件下用单质硅和氮气直接进行化合反应得到氮化硅： 3 Si(s) + 2 N2(g) → Si3N4(s) 也可用二亚胺合成 SiCl4(l) + 6 NH3(g) → Si(NH)2(s) + 4 NH4Cl(s) 在0 ℃的条件下 3 Si(NH)2(s) → Si3N4(s) + N2(g) + 3 H2(g) 在1000 ℃的条件下 或用碳热还原反应在1400-1450℃的氮气气氛下合成： 3 SiO2(s) + 6 C(s) + 2 N2(g) → Si3N4(s) + 6 CO(g) 对单质硅的粉末进行渗氮处理的合成方法是在二十世纪50年代随着对氮化硅的重新“发现”而开发出来的。也是第一种用于大量生产氮化硅粉末的方法。但如果使用的硅原料纯度低会使得生产出的氮化硅含有杂质硅酸盐和铁。用二胺分解法合成的氮化硅是无定形态的，需要进一步在1400-1500℃的氮气下做退火处理才能将之转化为晶态粉末，二胺分解法在重要性方面是仅次于渗氮法的商品化生产氮化硅的方法。碳热还原反应是制造氮化硅的最简单途径也是工业上制造氮化硅粉末最符合成本效益的手段。电子级的氮化硅薄膜是通过化学气相沉积或者等离子体增强化学气相沉积技术制造的: 3 SiH4(g) + 4 NH3(g) → Si3N4(s) + 12 H2(g) 3 SiCl4(g) + 4 NH3(g) → Si3N4(s) + 12 HCl(g) 3 SiCl2H2(g) + 4 NH3(g) → Si3N4(s) + 6 HCl(g) + 6 H2(g) 如果要在半导体基材上沉积氮化硅，有两种方法可供使用： 利用低压化学气相沉积技术在相对较高的温度下利用垂直或水平管式炉进行。 等离子体增强化学气相沉积技术在温度相对较低的真空条件下进行。 氮化硅的晶胞参数与单质硅不同。因此根据沉积方法的不同，生成的氮化硅薄膜会有产生张力或应力。特别是当使用等离子体增强化学气相沉积技术时，能通过调节沉积参数来减少张力。先利用溶胶凝胶法制备出二氧化硅，然后同时利用碳热还原法和氮化对其中包含特细碳粒子的硅胶进行处理后得到氮化硅纳米线。硅胶中的特细碳粒子是由葡萄糖在1200-1350℃分解产生的。合成过程中涉及的反应可能是： SiO2(s) + C(s) → SiO(g) + CO(g) 3 SiO(g) + 2 N2(g) + 3 CO(g) → Si3N4(s) + 3 CO2(g) 或 3 SiO(g) + 2 N2(g) + 3 C(s) → Si3N4(s) + 3 CO(g)