天津氮化硅鐵零售批發

A. 氮化硅鐵主要用在什麼地方啊

微電路製造中的絕緣膜

B. 氮化硅，氮化硅鐵合成問題，求助懸賞

氮化硅鐵和氮化硅的區別 氮化硅鐵跟氮化硅是不同的冶金材料,其沸點、熔點及作用都不相同.字面意思差不多,但實際作用相差很遠
可在1300-1400℃的條件下用單質硅和氮氣直接進行化合反應得到氮化硅： 3 Si(s) + 2 N2(g) → Si3N4(s) 也可用二亞胺合成 SiCl4(l) + 6 NH3(g) → Si(NH)2(s) + 4 NH4Cl(s) 在0 ℃的條件下 3 Si(NH)2(s) → Si3N4(s) + N2(g) + 3 H2(g) 在1000 ℃的條件下 或用碳熱還原反應在1400-1450℃的氮氣氣氛下合成： 3 SiO2(s) + 6 C(s) + 2 N2(g) → Si3N4(s) + 6 CO(g) 對單質硅的粉末進行滲氮處理的合成方法是在二十世紀50年代隨著對氮化硅的重新「發現」而開發出來的。也是第一種用於大量生產氮化硅粉末的方法。但如果使用的硅原料純度低會使得生產出的氮化硅含有雜質硅酸鹽和鐵。用二胺分解法合成的氮化硅是無定形態的，需要進一步在1400-1500℃的氮氣下做退火處理才能將之轉化為晶態粉末，二胺分解法在重要性方面是僅次於滲氮法的商品化生產氮化硅的方法。碳熱還原反應是製造氮化硅的最簡單途徑也是工業上製造氮化硅粉末最符合成本效益的手段。
電子級的氮化硅薄膜是通過化學氣相沉積或者等離子體增強化學氣相沉積技術製造的: 3 SiH4(g) + 4 NH3(g) → Si3N4(s) + 12 H2(g) 3 SiCl4(g) + 4 NH3(g) → Si3N4(s) + 12 HCl(g) 3 SiCl2H2(g) + 4 NH3(g) → Si3N4(s) + 6 HCl(g) + 6 H2(g) 如果要在半導體基材上沉積氮化硅，有兩種方法可供使用： 利用低壓化學氣相沉積技術在相對較高的溫度下利用垂直或水平管式爐進行。 等離子體增強化學氣相沉積技術在溫度相對較低的真空條件下進行。 氮化硅的晶胞參數與單質硅不同。因此根據沉積方法的不同，生成的氮化硅薄膜會有產生張力或應力。特別是當使用等離子體增強化學氣相沉積技術時，能通過調節沉積參數來減少張力。
先利用溶膠凝膠法制備出二氧化硅，然後同時利用碳熱還原法和氮化對其中包含特細碳粒子的硅膠進行處理後得到氮化硅納米線。硅膠中的特細碳粒子是由葡萄糖在1200-1350℃分解產生的。合成過程中涉及的反應可能是： SiO2(s) + C(s) → SiO(g) + CO(g) 3 SiO(g) + 2 N2(g) + 3 CO(g) → Si3N4(s) + 3 CO2(g) 或 3 SiO(g) + 2 N2(g) + 3 C(s) → Si3N4(s) + 3 CO(g)

C. 氮化硅鐵和氮化硅的區別

氮化硅參考http://ke..com/view/877481.html?wtp=tt
氮化硅鐵跟氮化硅是不同的冶金材料，其沸點、熔點及作用都不相同。字面意思差不多，但實際作用相差很遠

D. 氮化硅鐵資料。

1氮化硅鐵的定義
氮化硅鐵是以Si3N4為主要成分,伴隨游離鐵,未氮化硅鐵及少量其它成分的混合物.耐火用商品氮化硅鐵是一種灰白色(或茶褐色)的粉末狀物,煉鋼用氮化硅鐵是灰白色粒狀物.
2氮化硅鐵用途
粉狀氮化硅鐵主要用於大高爐的堵口炮泥中,少量用於鐵溝料或其它不定形耐火材料中.
粒狀氮化硅鐵主要用於取向硅鋼或其它採用氮化物提高強度的鋼種(如HRB400鋼筋).
3國內外使用情況
氮化硅鐵在發達國家的高爐炮泥中得到普遍應用,使炮泥開堵性能得到了明顯改善,滿足高爐出鐵的需要,成為現代化大高爐炮泥不可缺少的成分.另外在鐵溝料中加入少量氮化硅鐵極大地提高鐵溝的通鐵量.日本在上世紀70年代開始使用氮化硅鐵[1].
國內應用氮化硅鐵時間較短,寶鋼於1994年首先在炮泥中添加氮化硅,使炮泥性能得到改善滿足了寶鋼煉鐵的需要.國內其它鋼廠基本上都在使用氮化硅鐵,因為氮化硅鐵的銷售價格大約為氮化硅銷售價格的一半,另外在使用性能上兩者基本接近.近3年來,全國重點大型鋼鐵企業2000M3以上高爐堵口炮泥基本上都使用氮化硅鐵.添加氮化硅鐵的炮泥很好地滿足了大型高爐的需要,使高爐出鐵次數由18次普遍降低到12次,最低的降到6次.炮泥的消耗量由1.2kg/噸鐵降低到0.5kg/噸鐵.
在煉鋼方面,粒狀氮化硅鐵最初應用於取向硅鋼生產,它能比較穩定的為鋼水補充一定量的氮.國內使用氮化硅鐵量一年達數百噸.冶煉技術的進步使我國高強度微合金化鋼生產得到快速發展.鋼的強化微合金化元素主要有釩,鈮,鈦.經計算比較和生產實際應用,生產HRB400鋼筋採用FeV50+Fe Si3N4微合金化方案,合金化成本比單一採用FeV50噸鋼成本降低127.61元,比採用VN12微合金化噸鋼成本降低44.21元.如果該技術得到普及,將對生產建築鋼材的生產企業降本增效意義重大.氮化硅鐵作為廉價的提供氮源的合金,未來在其它鋼種上的應用前景良好.

E. 氮化硅鐵的介紹

氮化硅鐵是以Si3N4為主要成分,伴隨游離鐵,未氮化硅鐵及少量其它成分的混合物.耐火用商品氮化硅鐵是一種灰白色(或茶褐色)的粉末狀物,煉鋼用氮化硅鐵是灰白色粒狀物.

F. 氮化硅鐵生產中，氮含量低怎麼回事

氮化硅
鐵和氮化硅的區別
氮化硅鐵
跟氮化硅是不同的冶金材料,其沸點、熔點及作用都不相同.字面意思差不多,但實際作用相差很遠可在1300-1400℃的條件下用
單質
硅和氮氣直接進行
化合反應
得到氮化硅：
3
Si(s)
+
2
N2(g)
→
Si3N4
(s)
也可用二亞胺合成
SiCl4
(l)
+
6
NH3
(g)
→
Si(NH)2(s)
+
4
NH4Cl
(s)
在0
℃的條件下
3
Si(NH)2(s)
→
Si3N4(s)
+
N2(g)
+
3
H2(g)
在1000
℃的條件下
或用
碳熱還原
反應在1400-1450℃的氮氣氣氛下合成：
3
SiO2
(s)
+
6
C(s)
+
2
N2(g)
→
Si3N4(s)
+
6
CO(g)
對單質硅的粉末進行
滲氮
處理的合成方法是在二十世紀50年代隨著對氮化硅的重新「發現」而開發出來的。也是第一種用於大量生產氮化硅粉末的方法。但如果使用的硅原料純度低會使得生產出的氮化硅含有雜質硅酸鹽和鐵。用二胺
分解法
合成的氮化硅是
無定形
態的，需要進一步在1400-1500℃的氮氣下做
退火處理
才能將之轉化為
晶態
粉末，二胺分解法在重要性方面是僅次於滲氮法的商品化生產氮化硅的方法。碳熱還原反應是製造氮化硅的最簡單途徑也是工業上製造氮化硅粉末最符合
成本效益
的手段。電子級的氮化硅薄膜是通過
化學氣相沉積
或者
等離子體增強化學氣相沉積
技術製造的:
3
SiH4
(g)
+
4
NH3(g)
→
Si3N4(s)
+
12
H2(g)
3
SiCl4(g)
+
4
NH3(g)
→
Si3N4(s)
+
12
HCl(g)
3
SiCl2H2(g)
+
4
NH3(g)
→
Si3N4(s)
+
6
HCl(g)
+
6
H2(g)
如果要在半導體基材上沉積氮化硅，有兩種方法可供使用：
利用低壓化學氣相沉積技術在相對較高的溫度下利用垂直或水平
管式爐
進行。
等離子體增強化學氣相沉積技術在溫度相對較低的真空條件下進行。
氮化硅的
晶胞參數
與單質硅不同。因此根據沉積方法的不同，生成的氮化硅薄膜會有產生張力或應力。特別是當使用等離子體增強化學氣相沉積技術時，能通過調節沉積參數來減少張力。先利用
溶膠凝膠法
制備出
二氧化硅
，然後同時利用
碳熱還原法
和氮化對其中包含特細碳粒子的硅膠進行處理後得到氮化硅
納米線
。硅膠中的特細碳粒子是由葡萄糖在1200-1350℃分解產生的。合成過程中涉及的反應可能是：
SiO2(s)
+
C(s)
→
SiO(g)
+
CO(g)
3
SiO(g)
+
2
N2(g)
+
3
CO(g)
→
Si3N4(s)
+
3
CO2(g)
或
3
SiO(g)
+
2
N2(g)
+
3
C(s)
→
Si3N4(s)
+
3
CO(g)

G. 氮化硅鐵和氮化硅的區別

氮化硅鐵和氮化硅的區別
氮化硅鐵跟氮化硅是不同的冶金材料,其沸點、熔點及作用都不相同.字面意思差不多,但實際作用相差很遠

H. 氮化硅鐵中鐵含量的測定方法

比色法

I. 氮化硅鐵與氧化鋁燒結

C 該材料既非單純金屬，又非合金，故不是金屬材料，A項錯誤；因組成中Si、Al、N、O原子數目不多，故稱不上高分子化合物，B、D兩項錯誤；該材料具備新型無機非金屬材料的特徵，故C項正確。 

J. 氮化硅鐵生產中，氮含量低怎麼回事

氮化硅鐵和氮化硅的區別 氮化硅鐵跟氮化硅是不同的冶金材料,其沸點、熔點及作用都不相同.字面意思差不多,但實際作用相差很遠可在1300-1400℃的條件下用單質硅和氮氣直接進行化合反應得到氮化硅： 3 Si(s) + 2 N2(g) → Si3N4(s) 也可用二亞胺合成 SiCl4(l) + 6 NH3(g) → Si(NH)2(s) + 4 NH4Cl(s) 在0 ℃的條件下 3 Si(NH)2(s) → Si3N4(s) + N2(g) + 3 H2(g) 在1000 ℃的條件下 或用碳熱還原反應在1400-1450℃的氮氣氣氛下合成： 3 SiO2(s) + 6 C(s) + 2 N2(g) → Si3N4(s) + 6 CO(g) 對單質硅的粉末進行滲氮處理的合成方法是在二十世紀50年代隨著對氮化硅的重新「發現」而開發出來的。也是第一種用於大量生產氮化硅粉末的方法。但如果使用的硅原料純度低會使得生產出的氮化硅含有雜質硅酸鹽和鐵。用二胺分解法合成的氮化硅是無定形態的，需要進一步在1400-1500℃的氮氣下做退火處理才能將之轉化為晶態粉末，二胺分解法在重要性方面是僅次於滲氮法的商品化生產氮化硅的方法。碳熱還原反應是製造氮化硅的最簡單途徑也是工業上製造氮化硅粉末最符合成本效益的手段。電子級的氮化硅薄膜是通過化學氣相沉積或者等離子體增強化學氣相沉積技術製造的: 3 SiH4(g) + 4 NH3(g) → Si3N4(s) + 12 H2(g) 3 SiCl4(g) + 4 NH3(g) → Si3N4(s) + 12 HCl(g) 3 SiCl2H2(g) + 4 NH3(g) → Si3N4(s) + 6 HCl(g) + 6 H2(g) 如果要在半導體基材上沉積氮化硅，有兩種方法可供使用： 利用低壓化學氣相沉積技術在相對較高的溫度下利用垂直或水平管式爐進行。 等離子體增強化學氣相沉積技術在溫度相對較低的真空條件下進行。 氮化硅的晶胞參數與單質硅不同。因此根據沉積方法的不同，生成的氮化硅薄膜會有產生張力或應力。特別是當使用等離子體增強化學氣相沉積技術時，能通過調節沉積參數來減少張力。先利用溶膠凝膠法制備出二氧化硅，然後同時利用碳熱還原法和氮化對其中包含特細碳粒子的硅膠進行處理後得到氮化硅納米線。硅膠中的特細碳粒子是由葡萄糖在1200-1350℃分解產生的。合成過程中涉及的反應可能是： SiO2(s) + C(s) → SiO(g) + CO(g) 3 SiO(g) + 2 N2(g) + 3 CO(g) → Si3N4(s) + 3 CO2(g) 或 3 SiO(g) + 2 N2(g) + 3 C(s) → Si3N4(s) + 3 CO(g)